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TPD3215M

零件编号 TPD3215M
产品分类 FET、MOSFET 阵列
制造商 Transphorm
描述 GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
封装
包装 大部分
数量 0
RoHS 状态 NO
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产品参数
产品说明
PDF(1)
PDF(2)
类型描述
制造商Transphorm
系列-
包装大部分
产品状态OBSOLETE
包装/箱Module
安装类型Through Hole
配置2 N-Channel (Half Bridge)
工作温度-40°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
功率 - 最大470W
漏源电压 (Vdss)600V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C70A (Tc)
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds2260pF @ 100V
Rds On(最大)@Id、Vgs34mOhm @ 30A, 8V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs28nC @ 8V
供应商设备包Module

Panasonic Electronic Components
RES SMD 1.1K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 2.4K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 1.5K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 3K OHM 5% 1/8W 0805
Roving Networks (Microchip Technology)
IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8SOIC
Omron Electronic Components
SENSOR OPT REFLECTIVE 5MM 5DIP
Panasonic Electronic Components
RES 68 OHM 5% 3W AXIAL
Panasonic Electronic Components
RES 560 OHM 5% 3W AXIAL
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