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TP65H150G4LSG

零件编号 TP65H150G4LSG
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 Transphorm
描述 GAN FET N-CH 650V PQFN
封装
包装 托盘
数量 2834
RoHS 状态 NO
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总数

数量

价格

总价

1

$5.3130

$5.3130

10

$4.7670

$47.6700

100

$3.9060

$390.6000

500

$3.3285

$1,664.2500

1000

$2.8035

$2,803.5000

3000

$2.4675

$7,402.5000

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产品参数
产品说明
类型描述
制造商Transphorm
系列-
包装托盘
产品状态ACTIVE
包装/箱3-PowerTDFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C13A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs180mOhm @ 8.5A, 10V
功耗(最大)52W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.8V @ 500µA
供应商设备包3-PQFN (8x8)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)10V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs8 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds598 pF @ 400 V

Panasonic Electronic Components
RES SMD 1.1K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 2.4K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 1.5K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 3K OHM 5% 1/8W 0805
Roving Networks (Microchip Technology)
IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8SOIC
Omron Electronic Components
SENSOR OPT REFLECTIVE 5MM 5DIP
Panasonic Electronic Components
RES 68 OHM 5% 3W AXIAL
Panasonic Electronic Components
RES 560 OHM 5% 3W AXIAL
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