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TP65H050WS

零件编号 TP65H050WS
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 Transphorm
描述 GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
封装
包装 管子
数量 317
RoHS 状态 YES
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库存:
总数

数量

价格

总价

1

$18.5535

$18.5535

30

$15.0150

$450.4500

120

$14.1330

$1,695.9600

510

$12.8100

$6,533.1000

获取报价信息
产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商Transphorm
系列-
包装管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-247-3
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C34A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs60mOhm @ 22A, 10V
功耗(最大)119W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.8V @ 700µA
供应商设备包TO-247-3
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)12V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs24 nC @ 10 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds1000 pF @ 400 V

Panasonic Electronic Components
RES SMD 1.1K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 2.4K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 1.5K OHM 5% 1/8W 0805
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RES SMD 3K OHM 5% 1/8W 0805
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RES 68 OHM 5% 3W AXIAL
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RES 5.1K OHM 5% 3W AXIAL
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RES 43K OHM 5% 3W AXIAL
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