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TP44100SG

零件编号 TP44100SG
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 Tagore Technology
描述 GAN FET HEMT 650V .118OHM 22QFN
封装
包装 卷带式 (TR)
数量 2969
RoHS 状态 NO
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总数

数量

价格

总价

1

$5.7750

$5.7750

10

$4.9875

$49.8750

100

$4.3365

$433.6500

500

$3.4650

$1,732.5000

3000

$3.4650

$10,395.0000

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产品参数
产品说明
PDF(1)
类型描述
制造商Tagore Technology
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱22-PowerVFQFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C19A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs118mOhm @ 500mA, 6V
Vgs(th)(最大值)@Id2.5V @ 11mA
供应商设备包22-QFN (5x7)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)0V, 6V
Vgs(最大)±20V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs3 nC @ 6 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds110 pF @ 400 V

Panasonic Electronic Components
RES SMD 1.1K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 2.4K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 1.5K OHM 5% 1/8W 0805
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RES SMD 3K OHM 5% 1/8W 0805
Roving Networks (Microchip Technology)
IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8SOIC
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SENSOR OPT REFLECTIVE 5MM 5DIP
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RES 68 OHM 5% 3W AXIAL
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RES 560 OHM 5% 3W AXIAL
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RES 5.1K OHM 5% 3W AXIAL
Panasonic Electronic Components
RES 43K OHM 5% 3W AXIAL
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