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SCT055W65G3-4AG

零件编号 SCT055W65G3-4AG
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 STMicroelectronics
描述 TO247-4
封装
包装 管子
数量 0
RoHS 状态 YES
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600

$9.3030

$5,581.8000

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产品参数
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类型描述
制造商STMicroelectronics
系列-
包装管子
产品状态ACTIVE
包装/箱TO-247-4
安装类型Through Hole
工作温度-55°C ~ 200°C (TJ)
技术SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C30A (Tc)
Rds On(最大)@Id、Vgs72mOhm @ 15A, 18V
功耗(最大)210W (Tc)
Vgs(th)(最大值)@Id4.2V @ 1mA
供应商设备包TO-247-4
年级Automotive
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)15V, 18V
Vgs(最大)+18V, -5V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs32 nC @ 18 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds721 pF @ 40 V
资质AEC-Q101

替代型号
SCT055W65G3-4AG
意法-ST
Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 58 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
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