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GPI65060DFC

零件编号 GPI65060DFC
产品分类 单 FET、MOSFET
制造商 GaNPower
描述 GaNFET N-CH 650V 60A DFN8x8 cu
封装
包装 卷带式 (TR)
数量 100
RoHS 状态 YES
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1

$34.6500

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产品参数
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类型描述
制造商GaNPower
系列-
包装卷带式 (TR)
产品状态ACTIVE
包装/箱8-DFN
安装类型Surface Mount
工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)
技术GaNFET (Gallium Nitride)
场效应管类型N-Channel
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C60A
Rds On(最大)@Id、Vgs30mOhm @ 6A, 12V
Vgs(th)(最大值)@Id1.2V @ 3.5mA
供应商设备包8-DFN (8x8)
驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻)6V
Vgs(最大)+7.5V, -12V
漏源电压 (Vdss)650 V
栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs16 nC @ 6 V
输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds420 pF @ 400 V

Panasonic Electronic Components
RES SMD 1.1K OHM 5% 1/8W 0805
Panasonic Electronic Components
RES SMD 2.4K OHM 5% 1/8W 0805
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RES SMD 1.5K OHM 5% 1/8W 0805
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RES SMD 3K OHM 5% 1/8W 0805
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RES 68 OHM 5% 3W AXIAL
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RES 560 OHM 5% 3W AXIAL
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RES 5.1K OHM 5% 3W AXIAL
Panasonic Electronic Components
RES 43K OHM 5% 3W AXIAL
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