D175K2K5E 可调功率电阻_三利通电子,SanLiTong Electronic,电容器,电阻器,电感器,二三极管,晶体管,集成电路IC

零件编号：	D175K2K5E
产品分类：	可调功率电阻
制造商：	Ohmite
描述：	ADJ PWR RES 2.5K OHM 175W CHAS
封装：
包装：	盒子
数量：	0
RoHS 状态：	YES
分享

零件编号：

D175K2K5E

产品分类：

可调功率电阻

制造商：

Ohmite

描述：

ADJ PWR RES 2.5K OHM 175W CHAS

封装：

包装：

盒子

数量：

RoHS 状态：

YES

产品参数

产品说明

PDF(1)

类型	描述
制造商	Ohmite
系列	Dividohm®210
包装	盒子
产品状态	ACTIVE
宽容	±10%
包装/箱	Radial, 3 Lead, Tubular
调整类型	Slide
安装类型	Chassis Mount
直径	1.125" OD, 0.750" ID (28.58mm x 19.05mm)
长度	8.500" (215.90mm)
终止	Solder Lug
反抗	2.5 kOhms
功率（瓦）	175 W

相似型号

D1750A

松下-Panasonic

Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington Power Transistors

BD175

TRANSYS

EPITAXIAL SILICON POWER TRANSISTORS

JSCC175 JSCD175

捷捷微-JieJie

可控硅&二极管模块

LRD175

里阳-Liown

二极管芯片

V20D175

力特-Littelfuse

径向引线型压敏电阻

JTD175

力特-Littelfuse

J级保险丝

HSBD175

华汕-Huashan

通用晶体管

TLC-USMD175

竞沃-TLC

自恢复保险丝

PSVD175

Powersem

DIODE MODULES - Standard Diodes - Baseline

PSXD175

Powersem

DIODE MODULES - Standard Diodes - Baseline

PSYD175

Powersem

DIODE MODULES - Standard Diodes - Baseline

PSWD175

Powersem

DIODE MODULES - Standard Diodes - Baseline

TLGD175

东芝-Toshiba

2 CHIP LED LAMP FOR MESSAGE BOARD

ARU-B100-D175

莱姆-LEM

电流传感器

CSD17559Q5

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17575Q3

德州仪器-TI

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、3.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17501Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17506Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17581Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、4.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17578Q3A

德州仪器-TI

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、9.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17553Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

RSD175N10FRA

罗姆-ROHM

4V Drive Nch MOSFET (支持 AEC-Q101)

CSD17555Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

HD1750FX

意法-ST

最新高清超薄CRT显示器的高压NPN功率晶体管

CSD17552Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、6.2mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

BD1754HFN

罗姆-ROHM

带64级调光功能恒电流LED驱动器最多可驱动4个LED

CSD17581Q3A

德州仪器-TI

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、4.7mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

TD175N16SOF

英飞凌-Infineon

可控硅/二极管模块

CSD17507Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、10.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

PMGD175XNEA

安世-Nexperia

PMGD175XNEA - 30 V, Dual N-channel Trench MOSFET

DD175N30K

英飞凌-Infineon

可控硅/二极管模块

RSD175N10

罗姆-ROHM

4V Drive Nch MOSFET

CSD17505Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3.5mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

2SD1757K

罗姆-ROHM

Low VCE(sat) Transistor

CSD17551Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17577Q3A

德州仪器-TI

采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、6.4mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17576Q5B

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、2.9mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17570Q5B

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、0.92mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

2SD1758

罗姆-ROHM

Driver Transistor

CSD17522Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、8.1mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17578Q5A

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、9.3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

PMGD175XNE

安世-Nexperia

30 V, Dual N-channel Trench MOSFET

CSD17585F5

德州仪器-TI

采用 0.8mm x 1.5mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单路、33mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

CSD17556Q5B

德州仪器-TI

采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、1.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET

DD175N

英飞凌-Infineon

Rectifier Diode Module

DD175N32K

英飞凌-Infineon

可控硅/二极管模块

Panasonic Electronic Components

ERJ-6GEYJ112V

RES SMD 1.1K OHM 5% 1/8W 0805

Panasonic Electronic Components

ERJ-6GEYJ242V

RES SMD 2.4K OHM 5% 1/8W 0805

Panasonic Electronic Components

ERJ-6GEYJ152V

RES SMD 1.5K OHM 5% 1/8W 0805

Panasonic Electronic Components

ERJ-6GEYJ302V

RES SMD 3K OHM 5% 1/8W 0805

Roving Networks (Microchip Technology)

93LC46/SN

IC EEPROM 1KBIT MICROWIRE 8SOIC

Omron Electronic Components

EE-SY410

SENSOR OPT REFLECTIVE 5MM 5DIP

Panasonic Electronic Components

ERG-3SJ680A

RES 68 OHM 5% 3W AXIAL

Panasonic Electronic Components

ERG-3SJ561A

RES 560 OHM 5% 3W AXIAL